Аттосекундная автоэмиссия

Новости

ДомДом / Новости / Аттосекундная автоэмиссия

Jun 27, 2023

Аттосекундная автоэмиссия

Nature том 613, страницы 662–666 (2023) Цитировать эту статью 14k Доступов 8 Цитирований 195 Подробности об альтметрических метриках Полевая эмиссия электронов лежит в основе больших достижений науки и техники, начиная от

Nature, том 613, страницы 662–666 (2023 г.) Процитировать эту статью

14 тысяч доступов

8 цитат

195 Альтметрика

Подробности о метриках

Полевая эмиссия электронов лежит в основе огромных достижений науки и техники, начиная от обработки сигналов на все более высоких частотах1 и заканчивая получением изображений структуры вещества в атомном масштабе2 с пикометровым разрешением. Развитие методов электронной микроскопии, обеспечивающих полную визуализацию материи в исходных пространственных (пикометровых) и временных (аттосекундных) масштабах динамики электронов, требует методов, которые могут ограничивать и исследовать автоэлектронную эмиссию на субфемтосекундных интервалах времени. Мощные лазерные импульсы проложили путь к этой цели3,4, продемонстрировав фемтосекундное ограничение5,6 и субоптический циклический контроль7,8 оптической полевой эмиссии9 из наноструктурированных металлов. Однако измерение аттосекундных электронных импульсов остается невозможным. Мы использовали интенсивные субцикловые световые переходные процессы для индукции оптической полевой эмиссии электронных импульсов из вольфрамовых наноострий и слабую копию того же переходного процесса для непосредственного исследования динамики эмиссии в реальном времени. Доступ к временным свойствам электронных импульсов, перерассеяющихся на поверхности иглы, включая длительность τ = (53 ас ± 5 ас) и чирп, а также прямое исследование наноразмерных ближних полей открывают новые перспективы для исследований и приложений на границе аттосекундных волн. физика и нанооптика.

Взаимодействие атомов и молекул с интенсивными лазерными полями приводит к возникновению аттосекундных электронных импульсов10, которые могут изучать структуру и динамику этих систем при столкновении с их родительским ионом11. Аттосекундные методы12 теперь могут получить доступ к временному профилю повторно сталкивающихся электронных импульсов и сопутствующей структурной динамике13,14 в их родительских ионах путем измерения переходных свойств высоких гармоник15, излучаемых во время взаимодействия. Исследования взаимодействия интенсивных лазерных полей с наноструктурированными металлами за последние два десятилетия показали, что полуклассические концепции3,4,5,6,7,8,9,16,17, разработанные ранее для описания динамики электронов в атомах, могут позволить себе центральную роль в понимании оптической полевой электронной эмиссии. По аналогии с атомами, электроны, высвободившиеся из вершины наноострия в гребне поля интенсивного лазерного импульса, также должны формировать ультракороткие электронные импульсы (рис. 1а, вставка), которые при повторном столкновении с поверхностью острия примерно на три четверти лазерный период (T ≈ 2 фс) позже — можно было бы исследовать как динамику, так и структуру. Из-за сверхкороткого временного интервала между событиями эмиссии и рестолкновения, а также в отличие от других новых электронно-импульсных технологий18,19,20,21, волновой пакет электронного импульса должен претерпевать незначительное временное расширение, что позволяет ограничить его временными рамками субцикла. .

а — Упрощенная схема экспериментальной установки. Субциклический импульс (оранжевая кривая) пространственно разделяется и фокусируется с помощью модуля двойного вогнутого никелевого зеркала. Временная задержка между импульсами, отраженными внутренним и внешним зеркалами, вводится пьезоэлементом. В фокусе лазера можно расположить вольфрамовые наноострия (радиус вершины около 35 нм) или газовую струю атомов неона. Спектры испускаемых электронов регистрируются времяпролетным спектрометром (угол приема около 6°), расположенным примерно в 3 мм после источника электронов и ориентированным вдоль оси поляризации лазера. На вставке показано, что электроны, отмеченные зеленой заштрихованной кривой, (i) освобождаются и ускоряются интенсивным лазерным полем с образованием электронного импульса, который при повторном столкновении с поверхностью наноострия (ii) может исследовать как динамику, так и структуру. . При обратном рассеянии от поверхности иглы (iii) электронный импульс дополнительно ускоряется лазером, чтобы покинуть зону взаимодействия. б, Общий выход электронов на импульс как функция увеличения пиковой интенсивности возбуждающих лазерных импульсов (желтые точки) и его линейной аппроксимации (фиолетовая линия) в логарифмическом масштабе. в — Электронные спектры вольфрамового наноострия (ложный цвет в логарифмическом масштабе) в зависимости от пиковой интенсивности. Звездочки и точки обозначают энергии отсечки. Черные и серые пунктирные линии показывают линейную зависимость энергии отсечки от пиковой интенсивности падающего лазерного импульса. г, Оптические эмиссионные электронные спектры вольфрамового наноострия (красная кривая) и атомов неона (синяя кривая) для почти одинаковой пиковой интенсивности (около 40 ТВт/см2). д. То же, что и в, но для атомов неона.

20 eV) that allows atomic-scale investigation of the parent surface28. On the measurement side, in situ attosecond metrologies24,25,26,27 shall be extended to incorporate temporal gating of the optical field emission without relying on the concomitant high harmonic radiation. Measurements of this kind have so far permitted access to the driving-field waveform of light waves by tracking the spectrally integrated currents induced in the bulk of solids29,30 or the cutoff energy variation of rescattered electrons in atoms31 and nanotips32, but a direct time-resolved measurement of attosecond electron pulses in the optical field emission has remained beyond reach./p>80 eV) of the spectrogram of Fig. 3a, as isolated in Fig. 4a. Figure 4b shows the numerical reconstruction of data in Fig. 4a based on equations (1) and (2), the retrieved field parameters Ap(t) and Ag(t) (Fig. 3b), the absolute time delay τ (Extended Data Fig. 8) and the numerical algorithm detailed in Methods./p>70 eV), enabling the isolation of a single attosecond pulse. The EUV and optical pulses are reflected off a dual-mirror assembly, which consists of a Mo/Si inner mirror (centred at around 85 eV) and a nickel outer mirror, respectively. Inner and outer mirrors can be delayed with nanometric resolution (Extended Data Fig. 1a). EUV and optical pulses are focused onto a second Ne gas jet. Photoelectron spectra recorded as a function of the delay between the inner and outer mirrors allow the composition of attosecond streaking spectrograms, which allow the detailed characterization of the attosecond EUV pulse and, notably for these experiments, the field waveform of the optical pulse. Details about the relevant techniques can be found in refs. 35,41,48./p> π steradians. The induced voltage on the thin plate is measured by a lock-in amplifier at the reference frequency of the repetition rate of the driving laser (about 3 KHz). The electronic current is evaluated by dividing the induced voltage by the system impedance (10 MΩ). The total electron count per pulse is in turn obtained by dividing the current by the repetition rate of the laser and the electron charge./p>